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晶閘管模塊為什么會燒壞?

來源:暫無 瀏覽量:載入中...發布時間:2020.10.11


       晶閘管模塊屬于硅元件,硅元件的普遍特性是過載能力差,因此在使用過程中經常會出現晶閘管模塊燒壞的現象。接下來,讓我們看看晶閘管模塊燒壞的真正原因
       晶閘管模塊的燒壞由溫度過高引起,溫度由晶閘管模塊的電特性、熱特性、結構特性決定,因此保證晶閘管模塊在開發、生產過程中的質量從電特性、熱特性、結構特性三個方面著手,并且三者密切相關,密切相關燒壞晶閘管模塊的原因很多,總的來說,由于三者的共同作用,造成晶閘管模塊燒壞,一個單獨的特性下降,產品閘管燒壞困難,因此在生產過程中可以充分利用這個特征,也就是說,如果其中一個應力不符合要求,可以采用提高其他兩個應力的方法來彌補。

      從晶閘管模塊的各相參數來看,電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開通時間、關閉時間等經常發生事故的參數,有時也會極度燒毀。晶閘管模塊各參數性能的下降和線路問題導致晶閘管模塊燒損,表面上各參數導致晶閘管模塊燒損的現象不同,因此可以通過解剖燒損的晶閘管模塊來判斷哪個參數導致晶閘管模塊燒損。

晶閘管觸發板.jpg

       一般來說,陰極表面和芯片邊緣有燒傷的黑點是由電壓引起的,電壓引起的晶閘管模塊燒傷的原因有兩個。一個是晶閘管模塊的電壓故障,也就是我們常說的降低,電壓故障分為早期故障、中期故障和晚期故障。二是線路問題,線路產生過電壓,晶閘管模塊采取的保護措施無效。
       電流燒壞晶閘管模塊通常在陰極表面有很大的燒壞痕跡,大面積溶解芯片、管殼等金屬。di/dt引起的燒毀晶閘管模塊現象容易判斷,一般會在門極或放大門極附近燒成黑點。我們知道晶閘管模塊的等效電路由兩個可控硅構成,門極對應的可控硅作為觸發用,目的是在觸發信號到來時擴大,盡快引導主可控硅,但短時間內電流過大,主可控硅尚未完全引導,大電流主要相當于門極的可控硅dv/dt本身不會燒壞結晶閘管模塊,但高dv/dt會誤導結晶閘管模塊,其表面現象與電流燒壞現象大致相同。

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